Антава

IXYS

Транзистор IXGX120N120B3

IXGX120N120B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
120 A
Рассеиваемая мощность
830 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGX120N120B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current120 A
Рассеиваемая мощность830 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current370 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge470nC
Kind of packagetube
Turn-on time122ns
Turn-off time885ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; PLUS247™

Документация

Документ производителя