Антава

IXYS

Транзистор IXGX100N170

IXGX100N170
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
100 A
Power dissipation
830 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGX100N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current100 A
Power dissipation830 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current600 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge425nC
Kind of packagetube
Turn-on time285ns
Turn-off time720ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; PLUS247™

Документация

Документ производителя