Антава

IXYS

Транзистор IXGT6N170AHV-TRL

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
6 A
Рассеиваемая мощность
75 W
Корпус
TO268HV
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGT6N170AHV-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current6 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусTO268HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current14 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.5nC
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.7kV; 6A; 75W; TO268HV

Документация

Документы пока не предоставлены.