Антава

IXYS

Транзистор IXGT6N170AHV

IXGT6N170AHV
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
3 A
Рассеиваемая мощность
75 W
Корпус
TO268HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGT6N170AHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current3 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусTO268HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current14 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.5nC
Kind of packagetube
Turn-on time91ns
Turn-off time271ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 3A; 75W; TO268HV

Документация

Документ производителя