Антава

IXYS

Транзистор IXGT6N170

IXGT6N170
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
3 A
Power dissipation
75 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGT6N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current3 A
Power dissipation75 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current24 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagetube
Turn-on time85ns
Turn-off time0.6µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 3A; 75W; TO268; Features: high voltage

Документация

Документ производителя