IXYS

Транзистор IXGT64N60B3-TRL

Фото уточняется

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600 V
Collector current: 64 A
Power dissipation: 460 W
Корпус: TO268
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IXGT64N60B3-TRL
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	600 V
Collector current	64 A
Power dissipation	460 W
Корпус	TO268
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	400 A
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	168nC
Kind of package	reel, tape

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 64A; 460W; TO268

Документация

Документы пока не предоставлены.