Антава

IXYS

Транзистор IXGT60N60C3D1

IXGT60N60C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
60 A
Рассеиваемая мощность
380 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 13 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 345,80 ₽

Сумма · с НДС 22%1 345,80 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 345,80 ₽
от 31 188,35 ₽
от 101 068,39 ₽
от 30997,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXGT60N60C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current60 A
Рассеиваемая мощность380 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge115nC
Kind of packagetube
Turn-on time54ns
Turn-off time198ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268

Документация

Документ производителя