Антава

IXYS

Транзистор IXGT32N170

IXGT32N170
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
32 A
Power dissipation
350 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGT32N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current32 A
Power dissipation350 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge155nC
Kind of packagereel, tape
Turn-on time90ns
Turn-off time920ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO268

Документация

Документ производителя