Антава

IXYS

Транзистор IXGT30N120B3D1

IXGT30N120B3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
30 A
Power dissipation
300 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGT30N120B3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current30 A
Power dissipation300 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge87nC
Kind of packagetube
Turn-on time56ns
Turn-off time471ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268

Документация

Документ производителя