Антава

IXYS

Транзистор IXGT25N250HV

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
60 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Корпус
TO268HV
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGT25N250HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current60 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO268HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge75nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 2.5kV; 60A; 250W; TO268HV

Документация

Документы пока не предоставлены.