Антава

IXYS

Транзистор IXGT16N170AH1

IXGT16N170AH1
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
11 A
Рассеиваемая мощность
190 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGT16N170AH1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current11 A
Рассеиваемая мощность190 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Turn-on time35ns
Turn-off time298ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268

Документация

Документ производителя