Антава

IXYS

Транзистор IXGT16N170

IXGT16N170
Type of transistor
IGBT
Technology
NPT
Collector-emitter voltage
1.7kV
Collector current
16A
Power dissipation
190W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGT16N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyNPT
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current16A
Power dissipation190W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current80A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Turn-on time90ns
Turn-off time1.6µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO268

Документация

Документ производителя