Антава

IXYS

Транзистор IXGT10N170A

IXGT10N170A
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
5 A
Power dissipation
140 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGT10N170A
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current5 A
Power dissipation140 W
КорпусTO268
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current20 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Turn-on time107ns
Turn-off time240ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268

Документация

Документ производителя