Антава

IXYS

Транзистор IXGR72N60B3H1

IXGR72N60B3H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
40 A
Power dissipation
200 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGR72N60B3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current40 A
Power dissipation200 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current450 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge225nC
Kind of packagetube
Turn-on time63ns
Turn-off time370ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™

Документация

Документ производителя