Антава

IXYS

Транзистор IXGP30N120B3

IXGP30N120B3
Type of transistor
IGBT
Technology
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2kV
Collector current
30A
Power dissipation
300W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGP30N120B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2kV
Collector current30A
Power dissipation300W
КорпусTO220-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current150A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge87nC
Kind of packagetube
Turn-on time56ns
Turn-off time471ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO220-3

Документация

Документ производителя