Антава

IXYS

Транзистор IXGN200N60B3

IXGN200N60B3
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
0.6 kV
Collector current
200 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGN200N60B3
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage0.6 kV
Collector current200 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.2kA
Power dissipation830 W
ТехнологияGenX3™, PT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B

Документация

Документ производителя