Антава

IXYS

Транзистор IXGN200N170

IXGN200N170
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
1.7 kV
Collector current
160 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGN200N170
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.7 kV
Collector current160 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.05kA
Power dissipation1.25 kW
ТехнологияNPT
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 160A; SOT227B

Документация

Документ производителя