Антава

IXYS

Транзистор IXGN100N170

IXGN100N170
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
1.7 kV
Collector current
95 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGN100N170
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.7 kV
Collector current95 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current600 A
Power dissipation735 W
TechnologyNPT
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B

Документация

Документ производителя