Антава

IXYS

Транзистор IXGL75N250

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
110 A
Power dissipation
430 W
Корпус
ISOPLUS264™
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGL75N250
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current110 A
Power dissipation430 W
КорпусISOPLUS264™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current580 A
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 2.5kV; 110A; 430W; ISOPLUS264™

Документация

Документы пока не предоставлены.