IXYS
Транзистор IXGL75N250
Фото уточняется
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 2.5 kV
- Collector current
- 110 A
- Power dissipation
- 430 W
- Корпус
- ISOPLUS264™
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | IXGL75N250 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 2.5 kV |
| Collector current | 110 A |
| Power dissipation | 430 W |
| Корпус | ISOPLUS264™ |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 580 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 2.5kV; 110A; 430W; ISOPLUS264™
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.