Антава

IXYS

Транзистор IXGK82N120A3

IXGK82N120A3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
82 A
Рассеиваемая мощность
1.25 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGK82N120A3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current82 A
Рассеиваемая мощность1.25 kW
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current580 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge340nC
Kind of packagetube
Turn-on time109ns
Turn-off time1.59µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 82A; 1.25kW; TO264

Документация

Документ производителя