Антава

IXYS

Транзистор IXGK75N250

IXGK75N250
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
75 A
Power dissipation
780 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGK75N250
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current75 A
Power dissipation780 W
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current530 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge410nC
Kind of packagetube
Turn-on time280ns
Turn-off time725ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 75A; 780W; TO264

Документация

Документ производителя