Антава

IXYS

Транзистор IXGK72N60B3H1

IXGK72N60B3H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
72 A
Рассеиваемая мощность
540 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGK72N60B3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current72 A
Рассеиваемая мощность540 W
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current450 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge225nC
Kind of packagetube
Turn-on time63ns
Turn-off time370ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO264

Документация

Документ производителя