Антава

IXYS

Транзистор IXGK400N30A3

IXGK400N30A3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
300 V
Collector current
200 A
Рассеиваемая мощность
1 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGK400N30A3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage300 V
Collector current200 A
Рассеиваемая мощность1 kW
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.2kA
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge560nC
Kind of packagetube
Turn-on time0.1µs
Turn-off time565ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264

Документация

Документ производителя