Антава

IXYS

Транзистор IXGK320N60B3

IXGK320N60B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
320 A
Рассеиваемая мощность
1.7 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGK320N60B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current320 A
Рассеиваемая мощность1.7 kW
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.2kA
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge585nC
Kind of packagetube
Turn-on time107ns
Turn-off time595ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264

Документация

Документ производителя