Антава

IXYS

Транзистор IXGK120N120A3

IXGK120N120A3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
120 A
Power dissipation
830 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGK120N120A3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current120 A
Power dissipation830 W
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current600 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge420nC
Kind of packagetube
Turn-on time105ns
Turn-off time1365ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 830W; TO264

Документация

Документ производителя