Антава

IXYS

Транзистор IXGK100N170

IXGK100N170
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
100 A
Рассеиваемая мощность
830 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGK100N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current100 A
Рассеиваемая мощность830 W
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current600 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge425nC
Kind of packagetube
Turn-on time285ns
Turn-off time720ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264

Документация

Документ производителя