Антава

IXYS

Транзистор IXGH6N170

IXGH6N170
Type of transistor
IGBT
Technology
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
6 A
Power dissipation
75 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGH6N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current6 A
Power dissipation75 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current24 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge20nC
Kind of packagetube
Turn-on time85ns
Turn-off time0.6µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3

Документация

Документ производителя