Антава

IXYS

Транзистор IXGH50N90B2D1

IXGH50N90B2D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, HiPerFAST™, PT
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
50 A
Power dissipation
400 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 240 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 688,81 ₽

Сумма · с НДС 22%3 688,81 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 688,81 ₽
от 33 339,30 ₽
от 53 105,67 ₽
от 102 761,86 ₽
от 302 319,28 ₽
от 602 152,12 ₽
от 1202 055,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXGH50N90B2D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, HiPerFAST™, PT
Collector-emitter voltage900 V
Collector current50 A
Power dissipation400 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge135nC
Kind of packagetube
Turn-on time48ns
Turn-off time820ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3

Документация

Документ производителя