Антава

IXYS

Транзистор IXGH4N250C

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
13 A
Power dissipation
150 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGH4N250C
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current13 A
Power dissipation150 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current8 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge57nC
Kind of packagetube
Turn-off time350ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 2.5kV; 13A; 150W; TO247-3; Features: high voltage

Документация

Документы пока не предоставлены.