Антава

IXYS

Транзистор IXGH40N120B2D1

IXGH40N120B2D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
40 A
Power dissipation
380 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGH40N120B2D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current40 A
Power dissipation380 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge138nC
Kind of packagetube
Turn-on time79ns
Turn-off time770ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3

Документация

Документ производителя