Антава

IXYS

Транзистор IXGH32N170

IXGH32N170
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
32 A
Power dissipation
350 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGH32N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current32 A
Power dissipation350 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Turn-on time90ns
Turn-off time920ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 32A; 350W; TO247-3

Документация

Документ производителя