Антава

IXYS

Транзистор IXGH30N60C3D1

IXGH30N60C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
30 A
Power dissipation
220 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGH30N60C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current30 A
Power dissipation220 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Turn-on time45ns
Turn-off time160ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 220W; TO247-3

Документация

Документ производителя