Антава

IXYS

Транзистор IXGH30N120C3H1

IXGH30N120C3H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
24 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGH30N120C3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current24 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current115 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge80nC
Kind of packagetube
Turn-on time60ns
Turn-off time415ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO247-3

Документация

Документ производителя