Антава

IXYS

Транзистор IXGH30N120B3

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
60 A
Power dissipation
300 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGH30N120B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current60 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge87nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 300W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.