Антава

IXYS

Транзистор IXGH25N160

IXGH25N160
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.6 kV
Collector current
25 A
Power dissipation
300 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGH25N160
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.6 kV
Collector current25 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge84nC
Kind of packagetube
Turn-on time283ns
Turn-off time526ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3

Документация

Документ производителя