Антава

IXYS

Транзистор IXGH16N170A

IXGH16N170A
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
11 A
Power dissipation
190 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGH16N170A
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current11 A
Power dissipation190 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Turn-on time35ns
Turn-off time298ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO247-3

Документация

Документ производителя