Антава

IXYS

Транзистор IXGH120N30B3

IXGH120N30B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
300 V
Collector current
120 A
Рассеиваемая мощность
540 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGH120N30B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage300 V
Collector current120 A
Рассеиваемая мощность540 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current480 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge225nC
Kind of packagetube
Turn-on time51ns
Turn-off time356ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 120A; 540W; TO247-3

Документация

Документ производителя