Антава

IXYS

Транзистор IXGF32N170

IXGF32N170
Type of transistor
IGBT
Technology
NPT
Collector-emitter voltage
1.7kV
Collector current
19A
Power dissipation
200W
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGF32N170
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyNPT
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current19A
Power dissipation200W
КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current200A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge146nC
Kind of packagetube
Turn-on time90ns
Turn-off time920ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 19A; 200W; ISOPLUS i4-pac™ x024c

Документация

Документ производителя