Антава

IXYS

Транзистор IXGF25N250

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
30 A
Power dissipation
114 W
Корпус
i4-pac
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGF25N250
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current30 A
Power dissipation114 W
Корпусi4-pac
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge75nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 2.5kV; 30A; 114W; i4-pac

Документация

Документы пока не предоставлены.