Антава

IXYS

Транзистор IXGA42N30C3

IXGA42N30C3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™
Collector-emitter voltage
300 V
Collector current
42 A
Power dissipation
223 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXGA42N30C3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™
Collector-emitter voltage300 V
Collector current42 A
Power dissipation223 W
КорпусTO263
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current84 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge76nC
Turn-on time21ns
Turn-off time113ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.