Антава

IXYS

Транзистор IXGA30N120B3-TRL

IXGA30N120B3-TRL
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
60 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGA30N120B3-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current60 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge87nC
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 60A; 300W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.