Антава

IXYS

Транзистор IXGA20N120B3

IXGA20N120B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
20 A
Power dissipation
180 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGA20N120B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current20 A
Power dissipation180 W
КорпусTO263
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current80 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge51nC
Kind of packagetube
Turn-on time61ns
Turn-off time720ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263

Документация

Документ производителя