Антава

IXYS

Транзистор IXGA12N120A3

IXGA12N120A3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
12 A
Power dissipation
100 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXGA12N120A3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current12 A
Power dissipation100 W
КорпусTO263
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current60 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20.4nC
Kind of packagetube
Turn-on time202ns
Turn-off time1545ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263

Документация

Документ производителя