IXYS
Транзистор IXFZ140N25T
DE475Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 250 V
- Drain current
- 100 A
- Рассеиваемая мощность
- 445 W
- Корпус
- DE475
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFZ140N25T |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 250 V |
| Drain current | 100 A |
| Рассеиваемая мощность | 445 W |
| Корпус | DE475 |
| On-state resistance | 17 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 255nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 445W; DE475
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.