Антава

IXYS

Транзистор IXFZ140N25T

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
445 W
Корпус
DE475

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXFZ140N25T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность445 W
КорпусDE475
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge255nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 445W; DE475

Документация

Документ производителя