Антава

IXYS

Транзистор IXFY8N65X2

IXFY8N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
8 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 69 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%164,94 ₽

Сумма · с НДС 22%164,94 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1164,94 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFY8N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current8 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time105ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252

Документация

Документ производителя