Антава

IXYS

Транзистор IXFY4N60P3

IXFY4N60P3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
4 A
Pulsed drain current
8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFY4N60P3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, Polar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current4 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation114 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.9nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W

Документация

Документы пока не предоставлены.