Антава

IXYS

Транзистор IXFX80N50Q3

IXFX80N50Q3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
80 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFX80N50Q3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current80 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусPLUS247™
On-state resistance65 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge200nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1250W; PLUS247™

Документация

Документ производителя