Антава

IXYS

Транзистор IXFX52N100X

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Polarisation
N
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
52 A
Power dissipation
1.25 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFX52N100X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
PolarisationN
Drain-source voltage1 kV
Drain current52 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусTO247-3
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge245nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time260ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 52A; 1.25kW; TO247-3; 260ns

Документация

Документы пока не предоставлены.