Антава

IXYS

Транзистор IXFX360N10T

IXFX360N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
360A
Power dissipation
1.25kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFX360N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current360A
Power dissipation1.25kW
КорпусPLUS247™
On-state resistance2.9mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge525nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™

Документация

Документ производителя