Антава

IXYS

Транзистор IXFX32N100P

IXFX32N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
32 A
Power dissipation
960 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки у поставщиков.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFX32N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current32 A
Power dissipation960 W
КорпусPLUS247™
On-state resistance0.32 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge225nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; PLUS247™

Документация

Документ производителя